|
ENIG
|
Ni: 3–6 µm/ Au: 0,05–0,10 µm
|
12+
|
Fine Pitch, BGA, SMD, Bonden
|
|
ENEPIG (ENEPAG)
|
Ni: 3–6 µm/ Pd: 0,05–0,15 µm/ Au: 0,03–0,05 µm
|
12+
|
Bonden (Al & Au), Fine Pitch, Mischbestückung
|
|
EPIG
|
Pd 0,05–0,15 µm/ Au: 0,03–0,06 µm
|
12+
|
Hochfrequenz & High Speed Designs, Au Bonden, Fine Pitch
|
|
tENIG
|
Ni 1–2 μm / Au 0,04–0,08 μm
|
12+
|
Hochfrequenzanwendungen (bis 40 GHz), Luft- und Raumfahrt, medizinische Geräte sowie Automobil- und Industriecomputer
|
|
DIG (Direct Immersion Gold)
|
Au: 0,1–0,3 µm (nickelfrei)
|
9
|
Hochfrequenz & High Speed Anwendungen, Fine Pitch
|
|
EPAG
|
Ni > 4 μm / Pd 0,1 μm / Au 0,8–3 μm (hart)
|
12+
|
High Pitch, Surface Mount Technology, Aufgrund der reinen Goldschicht über Palladium ist es ideal für Golddrahtbonden
|
|
Galvanisch Hartgold
|
Ni: > 4 µm/ Au: 0,8–3 µm
|
12+
|
Stecker, Kontaktflächen, Backplanes, Schleifkontakte
|
|
HAL bleifrei
|
SnCuNi 1–40 μm
|
12+
|
THT, Standard SMD, robuste Industrie Elektronik
|
|
Chemisch Silber
|
Ag 0,12–0,40 μm
|
6
|
HF Anwendungen, High Speed Designs
|
|
Chemisch Zinn
|
Sn 0,8–1,3 μm
|
6
|
Einpresstechnik (Press Fit), Fine Pitch
|
|
OSP
|
Cu‑Passivierung 0,2–0,6 μm
|
6
|
Kostenoptimierte Großserie, Standard SMD
|
|
HT‑OSP
|
Cu‑Passivierung 0,2–0,6 μm (HT)
|
12+
|
Fine-Pitch, mehrmalige bleifreie Reflow-Lötprozesse
|
|
Weitere Oberflächen auf Anfrage
|
|
|
|
